SK 海力士:更快的 12 层 HBM3 内存、27 Gbps GDDR6 芯片即将发布

1 月 19 日消息,根据外媒 VideoCardz 消息,SK 海力士在一份文件中透露,将在 ISSCC 2022(IEEE 国际固态电路大会)发布两款全新的 DRAM 芯片,其中包含 12 层堆叠的 HBM3 高速内存,以及速度更块的 GDDR6 芯片。

SK 海力士于 2021 年首次推出了 12 层 HBM3 内存,速度达到了 820GB/s,而新产品的速度将进一步提升,达到 896 GB/s。

SK 海力士这款 HBM3 内存芯片采用 TSV 硅通孔工艺制造,单颗最大容量可达 24GB。目前这类产品在服务器 CPU 中有应用,与处理器核心紧密封装在一起,实现高速率。海力士还表示,这款芯片使用了自动校准和机器学习优化技术。目前,还不知道该产品是否会很快量产。

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IT之家了解到,文件中 SK 海力士表示,将展示 16Gb(2GB) 27Gb/s GDDR6 显存芯片,该产品将采用 T-coil 电路结构,实现更高的速度。此前的 GDDR6 显存最高带宽为 24Gb/s,海力士的这款新品速度超过了三星。

ISSCC 2022 大会将于 2 月 24 日举办,届时 SK 海力士的高管将介绍更详细的内容。

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