传台积电3nm工艺开发取得突破

原标题:传台积电3nm工艺开发取得突破:今年8月将N3B投片,明年第二季度N3E量产
大概一个月前,有报道指出,在N3基础上扩展的N3E已提前准备好。由于N3E测试生产的时候良品率较高,台积电(TSMC)电希望能更早地实现商业化,量产时间可能由原来的2023年下半年提前到2023年第二季度。据称,N3E的工艺流程已经在3月底确定。此外,台积电在该制程节点还有一款称为N3B的工艺。
近日有消息指出,经过一年多的努力,台积电近期在3nm工艺开发方面取得了重大突破,决定在今年8月份率先将N3B投片,以FinFET晶体管对决三星的3nm上引入的GAAFET全环绕栅极晶体管。据悉,N3B是台积电第二版3nm制程,而N3E则是第三版3nm制程。
传台积电3nm工艺开发取得突破

由于N3E的良品率快速拉升,N3E在明年正式投产后会加速放量,毫无疑问苹果将是第一个客户,该工艺用于新一代的处理器上。在苹果之后,英特尔和高通也会跟上。台积电3nm芯片将由Fab12和Fab18两间晶圆厂生产,前者主要负责英特尔代工订单,每月产能大概是1到2万片晶圆,后者主要生产苹果新款平板电脑和MacBook系列使用的新款处理器,每月产能大概是1.5万片晶圆。据悉,明年更具经济效益的N3E投产后,每月产能将从2.5万片提高到5万片晶圆。
据了解,N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数,从25层减少到21层,逻辑密度低了8%,但仍然比N5制程节点要高出60%。N3E的良品率也高于N3B,不过后者的信息较少。有参与台积电供应链的半导体从业人员表示,台积电的2nm制程将是其秘密武器,在3nm制程经历了诸多考验突破瓶颈以后,让台积电的研发团队信心倍增,很可能会加速2nm工艺的开发进度。
声明:本站转载此文目的在于传递更多信息,并不代表赞同其观点和对其真实性负责。如涉及作品内容、版权和其它问题,请在30日内与本网联系,我们将在第一时间删除内容,本网站对此声明具有最终解释权。

编辑:乾坤芯,如若转载,请注明出处:https://www.qiankunxin.com/3601.html

(0)
上一篇 2022年4月14日 下午12:14
下一篇 2022年4月14日 下午1:32

相关推荐

发表回复

您的电子邮箱地址不会被公开。